国家知识产权局信息显示，应用材料公司申请一项名为“用于沉积膜层的方法”的专利，公开号CN121866880A，申请日期为2024年9月。

专利摘要显示，一种在基板上沉积膜层的方法并入离子通量控制来改变溅射原子轨迹。所述方法可包括：使氩气围绕所述基板的周边流动，其中所述基板的表面具有多个带侧壁的结构和含有靠近所述基板的所述周边的边缘结构的边缘区域；形成等离子体以使氩气电离形成Ar+离子通量，从而诱导铝溅射以产生铝原子用于沉积在所述基板上；在所述基板上产生AC偏压以增加所述基板的所述边缘区域处的Ar+离子通量密度，从而改变撞击所述边缘区域的铝原子轨迹；以及加热所述基板以增加沉积在所述边缘结构上的所述铝原子的迁移率。

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